Use LEFT and RIGHT arrow keys to navigate between flashcards;
Use UP and DOWN arrow keys to flip the card;
H to show hint;
A reads text to speech;
76 Cards in this Set
- Front
- Back
1.Care este starea in care se gasesc electronii in interiorul unui conductor metalic?
|
stare libera
|
|
2.Cum se misca electronii printre ionii retelei un ui conductor metalic in lipsa campului electric?
|
haotic, miscare dezordonata
|
|
3.Care este ordinul de marime al vitezei de deplasare a electronilor intr-un conductor metalic parcurs de curent?
|
10^-5m/s
|
|
4.Definiti expresia curentului electric printr-o relatie intre Q-cantitatea de electricitate transportata, t-timpul si S-sectiunea conductorului?
|
I=Q/t
|
|
5.Care este sensul conventional al curentului electric?
|
De la + la -
|
|
6.Ce reprezinta tensiunea electromotoare?
|
Lucrul mecanic efectuat pentru a transporta unitatea de sarcina electrica pozitiva de-a lungul intregului circuit
|
|
7.Precizati unitatea de masura a rezistivitatii 'ro'
|
ohm*metru
|
|
8.Cum variaza cu temperatura rezistivitatea la metale si aliaje?
|
rezistivitatea metalelor creste, si a aliajelor se modifica foarte putin
|
|
9.Precizati ce relatie exista intre intensitatea curentului electric printr-un circuit, in functie de tensiunea electromotoare sirezistenta totala a circuitlui?
|
I=E/(R+r)
|
|
10.Cate ecuatii independente se pot scrie prin aplicarea legii I a lui Kirchoff pentru un circuit electric cu k noduri?
|
k-1
|
|
11.Care este conditia ce trebuie indeplinita pentru ca prin aplicarea legii a II-a a lui Kirchoff pe un ochi de circuit sa se obtina o ecuatie independenta?
|
sa existe cel putin o latura din ochi care sa nu apartina altor ochiuri de retea
|
|
12.Cum se alege sensul de parcurgere al unui ochi de circuit pentru a putea scrie legea a -II-a a lui Kirchoff?
|
Arbitrar
|
|
13.Stabiliti expresia rezistentei echivalente pentru conectarea in serie a n rezistoare?
|
Rs=R1+R2+...+Rn
|
|
14.Se leaga in serie n rezistoare avand fiecare rezistenta R. Care ezte valoarea rezistentei echivalente?
|
Res=n*R
|
|
15.Stabiliti expresia rezistentei echivalente pentru conectarea in paralele a n rezistoare??
|
1/Rp=1/R1+ 1/R2+...+1/Rn
|
|
16.Se leaga in paralele n rezistoare avand fiecare rezistenta R. Care este valoarea rezistentei echivalente?
|
1/Rep=n/R
|
|
17.Cum se comporta semiconductoarele din punct de vedere al conductivitatii la temperaturi foarte joase?
|
ca izolatoare
|
|
18.Care este energia de activare a electronilor de valenta DW dintr-un semiconductor(exprimat in eV)?
|
0.025-3 eV
|
|
19.Cine participa la conductie intr-un semiconductor intrinsec?
|
electronii si golurile
|
|
20.Ce efect are cresterea temperaturii asupra numarului de electroni liberi din materiale semiconductoare?
|
numarul lor creste
|
|
21.Cine asigura conductia electrica in semiconductoarele intrinseci?
|
electronii de conductie
|
|
22.Ce relatie este intre masa electronului de conductie mn si masa electronului me?
|
x
|
|
23.Care este sarcina electronului de conductie, fata de sarcina electrica elementara e?
|
x
|
|
24.Ce relatie respecta, pentru un semconductor pur, la echilibru termic la o temperatura data, concentratiile de electroni n0 si de goluri p0?
|
n0=p0
|
|
25.Ce valenta au impuritatile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec de tip n?
|
pentavalenta
|
|
26.Ce valenta au impuritatile folosite pentru a realiza un semiconductor extrinsec de tip p?
|
trivalenta
|
|
27.Ce valoare poate avea d.p.d.v. al energiei unelectron liber dintr0un material semiconductor?
|
orice valoare corespunzatoare benzii de conductie
|
|
29.Ce valoare poate avea d.p.d.v. al energie un gol dintr-un material semiconductor?
|
orice valoare corespunzatoare benzii de valenta
|
|
30.Cum depinde de temperatura absoluta T concentratia de electroni si de goluri generati prin mecanism intrinsec intr-un semiconductor la echilibru terminc?
|
exponential T^3/2
|
|
31.Unde este plasat nivelul energetic donor introdus intr-un semiconductor extrinsec de tip n de impuritatile donoare?
|
langa banda de conductie
|
|
32.Unde este plasat nivelul energetic acceptor introdus intr-un semiconductor extrinsed de tip p de impuritatile acceptoare?
|
langa banda de valenta
|
|
33.Ce se constata d.p.d.v. al concentratie purtatorilor majoritari in vecinatatea suprafetei de separatie a unei jonctiuni p-n?
|
o variatie puternica a
concentratiei purtatorilor majoritari |
|
34.Ce efect are campul intern al regiuni de trecere creat de sarcina spatiala a unei jonctiuni p-n asupra difuziei purtatorilo majoritari?
|
se opune difuziei
purtatorilor majoritari |
|
35.Cine formeaza sarcina spatia a unei jonctiuni p-n?
|
ionii negativi de impuritati acceptoare in zona p, si ionii pozitivi de impuritati donoare in regiunea n
|
|
36.In ce relatie se afla la regimul de echilibru termic al unei jonctiuni p-n nepolarizate, curentul de difuzie id si curentul de conductie ic?
|
ic=-id
|
|
37.In ce relatie se afla pentru o jonctiune p-n polarizata in sens direct curentul de difuzie id si curentul de conductie ic?
|
id>ic
|
|
38.In ce relatie se afla pentru o jonctiune p-n polarizata in sens invers curentul de difuzie id si curentul de conductie ic?
|
id<ic
|
|
39.Cum variaza la o jonctiune p-n, la aplicarea unei tensiuni inverse, latimea regiunii de trecere in functie de concentratiile de impuritati din zonele respective?
|
Invers proportionala cu concentratia impuritatilor in zonele respective
|
|
40.Cum se comporta d.p.d.v al conductiei electrice, regiunea de trecere a jonctiunii p-n?
|
Ca un dielectric datorita concentratiei scazute a purtatorilor
|
|
41.Ce efect are asupra largimii regiunii de trecere a unei jonctiuni p-n tensiunea inversa aplicata jonctiunii?
|
creste
|
|
42.Ce reprezinta caracteristica statica a diodei semiconductoare?
|
dependenta curentului prin dioda, numit curent anodic, de tensiunea dintre anod si catod, numita
tensiune anodica |
|
43.Ce se constata la aplicarea pe dioda semiconductoare a unor tensiuni inverse mari?
|
O crestere a curentului invers prin dioda datorat multiplicarii in avalansa a
puterilor de sarcina |
|
44.Cum depinde d.p.d.v. al legii matematice, in expresia caracteristicii teoretice a unei diode semiconductoare, curentul de tensiunea aplicata jonctiunii?
|
exponenntial e^ua/..
|
|
45.Ce efect are cresterea temperaturii jonctiunii unei diode semiconductoare asupra valorii curentului prin dioda?
|
creste
|
|
46.Cum se defineste riguros rezistenta interna a unei diode semiconductoare functionanad in punctul static M(Ua0, Ia0), cu variatii de semnal mic delta ua, delta ia?
|
Ri=[dia/dua |uao] ^-1
|
|
47.Cine determina aparitia capacitatii de bariera Cb a unei jonctiuni p-n?
|
sarcina spatiala acumulata in regiunea de trecere si depinde de tensiunea ua
|
|
48.Ce efecta are asupra capacitatii de bariera cresterea tensiunii aplicate pe jonctiunea p-n?
|
creste
|
|
49.Ce se intampla cu valoarea rezistentei interne a diodei la o valoare mai mare a curentului de punct static al diodei semiconductoare?
|
x
|
|
50.Unde se plaseaza in mod normal punctul de functionare la o dioda Zener?
|
pe caracteristica inversa de strapungere nedistructiva
|
|
51.Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizata de cel mai inalt nivel de dopare cu impuritati?
|
emitorul
|
|
52.Ce regiune a tranzistorului bipolar este caracterizata de cel mai redus nivel de dopare cu impuritati?
|
baza
|
|
53.Care este cea mai ingusta regiune intr-un tranzistor bipolar?
|
baza
|
|
54.Cine asigura conductia intr-un tranzistor bipolar?
|
atat purtatorii majoritari cat si cei minoritari
|
|
55.Cum se defineste pentru un tranzistor pnp, factorul de amplificare in curent alpha n?
|
an= ipec/ipe
|
|
56.Cine asigura in cea mai mare parte pentru un tranzistor pnp curentul de difuzie prin jonctiunea emitorului?
|
golurile
|
|
57.Ce se intampla cu golurile in baza unui tranzistor pnp?
|
devin purtatori minoritari
|
|
58.Cine determina pentru un tranzistor pnp transferul aproape integral a golurilor din regiunea de emitor in cea de colector?
|
campul intern din regiunea de trecere
a jonctiunii colectorului |
|
59.Care este pentru un trnazistor bipolar in conexiune normala, valoarea tipica a factorului static de amplificare in curent alpha n?
|
0.98 - -0.998
|
|
60.In ce relatie se afla pentru un tranzistor bipolar in conexiune normala curentul de colector si curentul de emitor?
|
aproximativ egale
|
|
61.Cum sunt polarizate jonctiunile tranzistorului bipolar functionand in regiunea activa directa normala?
|
jonctiunea emitoare-polarizata direct, colectoare
polarizata in sens invers |
|
62.Cum sunt polarizate jonctiunile tranzistorului bipolar functionand in regiunea activa inversa?
|
jonctiunea emitoare- polarizata invers, colectoare polarizata direct
|
|
63.Cum sunt polarizate jonctiunile tranzistorului bipolar functionand in regiunea de blocare?
|
jonctiunea emitoare fie nu este polarizata deloc fie este polarizata in sens invers
|
|
64.Cum sunt polarizate jonctiunile tranzistorului bipolar functionand in regiunea de saturatie?
|
ambele jonctiuni sunt polarizate direct
|
|
65.Care este valoarea tipica a factorului de amplificare static in curent al tranzistorului in conexiunea emitor comun beta n?
|
30-1000
|
|
66.Cum variaza conform caracteristicilor de intrare a tranzistorului in conexiunea emitor comun, pentru aceeasi valoare a tensiunii ube, ib, in functie de uce?
|
x
|
|
67.Ce efect are cresterea temperaturii asupra curbelor din familia caracteristicilor de iesire pentru un tranzistor bipolar functionand in conexiunea emitor comun?
|
deplasarea spre in sus
|
|
68.Ce efect are cresterea temperaturii asupra tensiunii emitor-bazaa pentru un tranzistor bipolar functionanad in conexiunea emitor comun?
|
micsorarea tensiunii
emitor baza |
|
69.Ce valori poate capata tensiunea de iesire dintr-un transformator in raport cu tensiunea de intrare?
|
mai mica sau egala
|
|
70.Care este rolul straturilor izolatoare dintre tolele miezului unui transformator?
|
impiedicarea curentilor Foucault
|
|
71.Pentru situatia in care ambele circuite ale transformatorului au spirele infasurate in acelasi sens, precizati faza intre tensiunea electromotoare de autoinductie
din primarul transformatorului si tensiunea electromotoare indusa in secundar? |
in faza
|
|
72.Pentru situatia in care ambele circuite ale transformatorului au spirele infasurate in acelasi sens, precizati faza intre tensiunea U1 din primarul
transformatorului si tensiunea U2 din secundar? |
in opozitie de faza
|
|
73.Pentru cazul transformatorului care functioneaza in sarcina tem din secundar produce un curent de intensitate i2. Acest curent determina aparitia unui flux magnetic
fi2. Care este sensul acestui flux fata de fluxul magnetic fi1? |
sens contrar
|
|
74.Cum este ca valoare pentru un transformator ridicator de tensiune fluxul magnetic secundar fi2, fata de fluxul magnetic fi1 din primar?
|
mai mica
|
|
75.Ce se constata pentru un transformator functionand in sarcina la o crestere a sarcinii pentru valoarea maxima a fluxului fi2m?
|
creste valoarea maxima
|
|
76.Ce reprezinta fluxul principal pentru un transformator functionand in sarcina?
|
diferenta dintre fluxurile fi1 si fi2
|
|
77.Ce se intampla la cresterea sarcinii unui transformator cu valoarea maxima a fluxului principal fi m?
|
ramane constanta
|